K9F4G08U0D-SIB0 کامپوننت سامسونگ تراشه قطعات SMT را مونتاژ می کند

کامپوننت تراشه سامسونگ K9F4G08U0D-SIB0 مونتاژ شده است

جزئیات اطلاعات:

1، نام قطعه: Chip Component

2، مدل:K9F4G08U0D-SIB0

3، نام تجاری: سامسونگ

4، وضعیت: اصلی نو

5، منبع: کره ای

• شماره قطعه سازنده:

  K9F4G08U0D-SIB0000

• کد Rohs:

  آره

• کد چرخه عمر قسمت:

  منسوخ شده

• توضیحات بسته:

  12 × 20 میلی متر، 0.50 میلی متر گام، بدون هالوژن و سرب، پلاستیک، TSOP1-48

• سازنده:

  نیمه هادی سامسونگ

• رتبه ریسک:

  5.84

• حداکثر زمان دسترسی:

  25 ns

• رابط کاربری فرمان:

  آره

• نظرسنجی داده ها:

  نه

• کد JESD-30:

  R-PDSO-G48

• طول:

  18.4 میلی متر

• تراکم حافظه:

  4294967296 بیت

• نوع آی سی حافظه:

  فلاش

• عرض حافظه:

  8

• تعداد توابع:

  1

• تعداد بخش ها/اندازه:

  4K

• تعداد پایانه ها:

  48

• تعداد کلمات:

  536870912 کلمه

• کد تعداد کلمات:

  512000000

• حالت عملیاتی:

  نامتقارن

• دمای عملیاتی - حداکثر:

  85 درجه سانتی گراد

• دمای عملیاتی - حداقل:

  -40 درجه سانتی گراد

• سازمان:

  512MX8

• جنس بدنه بسته بندی:

  پلاستیک/اپوکسی

• کد بسته:

  TSOP1

• کد معادل بسته:

  TSSOP48,.8,20

• شکل بسته بندی:

  مستطیل شکل

• سبک بسته بندی:

  طرح کلی کوچک، نمایه نازک

• اندازه صفحه:

  2K کلمه

• موازی/سریال:

  موازی

• حداکثر دمای جریان مجدد (سل):

  مشخص نشده است

• منابع تغذیه:

  3/3.3 V

• ولتاژ برنامه نویسی:

  3.3 V

• وضعیت صلاحیت:

  صلاحیت دار نیست

• آماده/مشغول:

  آره

• حداکثر ارتفاع نشسته:

  1.2 میلی متر

• اندازه بخش:

  128 هزار

• حداکثر جریان آماده به کار:

  0.00005 A

• زیر مجموعه:

  فلش مموری ها

• جریان عرضه - حداکثر:

  0.03 میلی آمپر

• حداکثر ولتاژ منبع تغذیه (Vsup):

  3.6 V

• ولتاژ منبع تغذیه (Vsup):

  2.7 V

• ولتاژ منبع تغذیه (Vsup):

  3.3 V

• نصب سطحی:

  آره

• فن آوری:

  CMOS

• درجه دما:

  صنعتی

• فرم پایانه:

  بال مرغان

• زمین ترمینال:

  0.5 میلی متر

• موقعیت ترمینال:

  دوگانه

• Time@Peak Reflow Temperature-Max (s):

  مشخص نشده است

• تغییر بیت:

  نه

• نوع:

  نوع NAND

• عرض:

  12 میلی متر